Elektrischer Schutz für Rechenzentren, Produktionsanlagen und Batteriespeichersysteme

Im Rahmen der Zusammenarbeit setzt Siemens bei seinem Halbleiter-Leistungsschalter 'Sentron 3QD2' auf Siliziumkarbid (SiC)-Leistungsmodule von Infineon, was die Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit der Siemens-Schutzlösung steigert.

„KI-Rechenzentren und Fabriken werden zunehmend elektrifiziert und immer komplexer. Das erhöht die Anfälligkeit für elektrische Störungen und treibt die Nachfrage nach nachhaltigeren, effizienteren und zuverlässigeren Stromverteilungssystemen voran“, sagt Andreas Weisl, Executive Vice President und Chief Sales Officer Industrial & Infrastructure bei Infineon. „Durch die Kombination unserer fortschrittlichen Siliziumkarbid-Technologie mit der Expertise von Siemens in der Energieverteilung adressieren wir diesen Bedarf, um einen schnellen, sicheren und zuverlässigen Betrieb von kritischen Infrastrukturen zu gewährleisten.“

Ein Semiconductor-Circuit-Breaker, auch Solid-State-Circuit-Breaker genannt, ist ein Halbleiter-Leistungsschalter, der Stromkreise vor Schäden durch übermäßigen Stromfluss schützt, wie er zum Beispiel durch Kurzschlüsse oder Überlast entsteht. Im Gegensatz zu herkömmlichen elektromechanischen Schutzschaltern, die zur Unterbrechung des Stromflusses auf mechanische Komponenten setzen und typischerweise im Millisekundenbereich arbeiten, verwendet der Siemens Sentron 3QD2 für diese Funktion Halbleiterkomponenten und intelligente Schutzalgorithmen. Damit ermöglicht er ein ultraschnelles Abschalten im Mikrosekundenbereich, laut Hersteller bis zu 1000-mal schneller als herkömmliche Systeme. Diese Fähigkeit ist für Gleichstromnetze (DC) unabdingbar und sorgt für eine deutliche Verbesserung von Schutz und Systemverfügbarkeit. In Anwendungen wie der industriellen Fertigung oder KI-Rechenzentren, wo im Fall von Stromfehlern selbst geringe Verzögerungen zu teuren Ausfallzeiten, Datenverlust oder kostspieligen Hardwareschäden führen können, ist das von entscheidender Bedeutung.

„Unser neues Gleichstrom-Portfolio bietet innovative Lösungen, die nicht nur die Energieeffizienz verbessern, sondern auch die Entwicklung resilienter, zukunftssicherer Infrastrukturen ermöglichen“, sagt Markus Grabmeier, CEO Electrical Products bei Siemens Smart Infrastructure. „Gleichstromanwendungen können den Energieverbrauch senken und den Materialeinsatz deutlich reduzieren. Durch die Integration von Batteriespeichern lässt sich zudem der Spitzenstrombedarf erheblich verringern. Mit diesem Ansatz leisten wir einen entscheidenden Beitrag zur Dekarbonisierung unserer Industrien und unterstreichen zugleich unser Engagement für die Entwicklung von Technologien, die einen greifbaren Mehrwert für unsere Kunden und die Gesellschaft schaffen.“

Die Zusammenarbeit adressiert die steigenden Anforderungen kritischer Infrastrukturen, bei denen Geschwindigkeit, Präzision und Zuverlässigkeit entscheidend sind. Durch die Integration des 62‑mm-CoolSiC MOSFET-Moduls 1200 V von Infineon in die Schutzkonzepte von Siemens leisten die Unternehmen einen wichtigen Beitrag zu widerstandsfähigeren, effizienteren und zukunftssicheren Energieinfrastrukturen. Der gemeinsame Ansatz unterstützt die zunehmende Verbreitung von Gleichstromnetzen und hochelektrifizierten Umgebungen und hilft Industrie- und Infrastrukturbetreibern, die steigenden Anforderungen an Leistung und Zuverlässigkeit zu erfüllen.