Aktuelle Produkte aus der industriellen Bildverarbeitung
Herkömmliche siliziumbasierte CMOS-Bildsensoren sind technologiebedingt auf einen eingeschränkten Wellenlängenbereich begrenzt, üblicherweise sind sie auf den sichtbaren Teil des Lichtes eingestellt. Soll Licht im nahen Infrarot-Bereich (NIR) detektiert werden, wird zumeist auf Hybridlösungen zurückgegriffen, beispielsweise auf die Kombination von Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs) auf CMOS. Eine Alternative sind organische Photodioden: Die organischen Schichten sind einfach auf Waferlevel integrierbar und daher kostengünstig. Gleichzeitig haben sie je nach Materialsystem auch außerhalb des sichtbaren Wellenlängenbereichs eine hohe Sensitivität. Wissenschaftler vom Fraunhofer FEP haben ein Array organischer Photodioden mit SVGA-Auflösung (800 × 600 Pixel) entwickelt, das im Wellenlängenbereich bis 1000 Nanometer empfindlich ist. Mit entsprechenden Materialanpassungen lassen sich auf dieser Grundlage anwendungsspezifische organische Photodioden entwickeln.